半导体低维结构的压力光谱研究
基本信息
批准号：60076012
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：李国华
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：W·Chen,丁琨,陈晔,方再利
关键词：
半导体低维结构光学特性静压力
结项摘要
用压力光谱研究自组织量子点中与X谷有关的发光的特点，研究量子点中G、X电子态之间的旌锨榭觥？共粼影氲继迥擅琢Ｗ拥难?力光谱研究，研究ZnS:.Mn等掺杂纳米粒子中掺杂胱佑牖逶又涞南嗷プ饔们榭黾捌涠阅擅琢Ｗ臃⒐馓匦缘挠跋臁Ｑ芯縄I－VI.族半导体纳米粒子的压力行为，研究它们与体材料的不同及其与纳.米粒子中能带结构的关系。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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