用压力光谱研究等电子中心与混晶带隙异常弯曲的关系

基本信息
批准号:60176008
项目类别:面上项目
资助金额:19.00
负责人:李国华
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2001
结题年份:2004
起止时间:2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:韩和相,丁琨,方再利,苏付海,马宝珊
关键词:
能带结构压力等电子中心
结项摘要

用压力光谱研究GaNAs混晶中等电子中心与能带结构间的关系。研究富As的GaNAs混晶中N能队氲即畹湍芄鹊南嗷プ饔谩Q芯扛籒的GaNAs混晶中As等电子中心的压力行为及其与混晶鄞峁沟牧怠Q芯扛籘e的ZnSTe混晶中S等电子中民的特性及其与导带的相互作用。研究ZnSTe混晶中Te等电子中心及有关深能级与能带结构的关系。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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