半导体的喇曼光谱压力光谱

观察到ZnTe和ZnSe基超晶格量子阱第一子能带激子能级与结构参数的关系及应变驰豫效应以及以深能级为中介态的双光子吸收光跃迁过程，在变温和变压力的条件下的多声子喇曼散射中提出了反斯托克斯喇曼散射可作识别热萤光和多声子喇曼散射的实验依据；证实了由于Γ-X相互作用在Ga0.5In0.5P混晶中沿（111）方向的自发有序和（GaP）（InP）1超晶格的存在；观测到GaAs/AlGaAs量子阱中能带不连续性的压力关系与周期长度的关系；发现了Γ—X和Γ—L谷间散射引起的锗直接带隙激子展宽；发现了InAs/GaAs量子点中在压力下Γ—X交叉引起的电子态混合和InSe/ZnSSe对称超晶格中压力引入的导带交叉。