与Mn有关的半导体的光学性质研究

半导体自旋电子学由于其巨大的应用前景引起人们极大的研究兴趣。其中掺有磁性离子特别是Mn离子的半导体成为研究最广泛的材料之一。本项目采用拉曼光谱、压力光谱和瞬态光谱等多种手段，研究与Mn有关的半导体的光学性质，使人们对各种新型半导体自旋材料的能带结构、物理特性和光学性质有比较深入的了解。从而为提高半导体自旋材料的质量、进一步开展材料的磁学特性的研究打下基础。主要研究内容包括利用拉曼散射方法研究GaMnAs中的空穴浓度，利用系统的实验测量和理论分析相结合的方法提高此种方法的可靠性。利用压力光谱研究Mn的掺入对GaMnAs合金能带结构的影响。利用压力光谱手段研究ZnSe/ZnMnSe超晶格中Mn离子与基体电子之间的sp-d相互作用，了解它们在体材料与低维结构中的差别。利用压力下的瞬态光谱测量研究ZnS:Mn纳米粒子中载流子的驰豫过程及其随纳米粒子尺寸的变化。深入了解其发光机理与能量转移过程。