掩模投影成像干涉光刻研究

成像干涉光刻产生深亚微米、纳米图形原理、理论和方法；建立数理模型，开展计算模拟；高低空频曝光对准方法；曝光剂量、参考光束与偏置照明角度偏差及光强对图形质量和CD 的影响；建立实验系统，开展实验研究。本项目将传统投影光刻与干涉光刻集于一体，对推进光刻极限、延长光刻寿命、发展我国纳米微电子器件具重要科学意义和广阔应用前景。