探索一种50纳米级的、具有掩模制备和直接刻制两种功能的纳米无掩模光刻方法并对其机理进行研究。该法基于具有30纳米超高分辨率的膜层结构和光致可变双膜金属热增阻膜技术的结合,通过对组合成的新膜层结构进行光刻、蚀刻和模式反转等步骤获得所需纳米构造。新方法有许多优点:〈1〉刻制速度(cm/s)远高于聚焦离子束和电子束刻蚀方法;〈2〉无须昂贵的设备,制作成本低;〈3〉可直接获得任意形状的、导电系数和耐热系数
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数据更新时间:2023-05-31
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