新型异质超薄层嵌入式低维半导体材料物理性质研究

基本信息
批准号:69576032
项目类别:面上项目
资助金额:9.00
负责人:封松林
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1995
结题年份:1997
起止时间:1996-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:封松林,杨小平,田金法,吉秀江,李树英,张伟,王海龙,肖剑飞
关键词:
嵌入式异质超薄层能带不连续量量子点
结项摘要

本项目研究了自组织生长量子点材料的工艺过程,已经初步掌握了提高材料性能的办法,为光学和电学测量及器件研究提供了样品,实现了激光器的激射;结合工艺过程对样品进行了光学、电学和扫描探针显微技术的物理研究,取得了不少有意义的结果;我们用深能级瞬态谱技术揭示了InAs/GaAs组织量子点俘获载流子时有势垒存在;该项工作在国内外发表多篇论文。为研制和开发量子线、量子点激光器做了前期的技术准备。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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