MBE－SPM系统低维结构加工和物理研究

将具有原子级分辨本领的UHV-SPM与具有原子级剪裁功能的MBE联接起来，解决超高真空扫描探针系统（UHV-SPM）同分子束外延（MBE）系统联接的技术问题。实现实时观测样品生长过程中表面形貌的演变。利用SPM观测表面界面的精细原子结构，反馈优化MBE的生长参数。集中探索SPM准原位检测自组织量子点结构外延表面形貌等诸多物理和材料生长问题。建立InAs、InGaAs自组织量子点材料MBE生长参数，研究了在低温GaAs外延层上生长量子点和InGaAs覆盖层对量子点应力的减弱作用，使用量子点均匀性得到改善。成功获得室温上1.3微米发光、PL谱半峰宽仅为19.2meV、激光态的发光峰清晰可辨的长波长量子点材料。制备了室温连续激射波长范围覆盖0.6-1.0微米波段的室温连续激射InGaAs/GaAs量子点激光器。