本项目主要研究在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中占重要地位的点缺陷DX中心的微观结构及载流子俘获机理,成功地发展了研究点缺陷载流子俘获机理的瞬态光霍尔和瞬态光电阻率方法。首次直接测量了L带载流子的俘获势垒,进而确定DX中心的俘获过程是Γ带电子必须首先跳到L带才能被DX中心俘获,支持DX中心是L带有效质量的模型。不支持目前国际上流行的负U模型。
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数据更新时间:2023-05-31
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