DX中心亚稳态及载流子俘获机理的研究
基本信息
批准号：69376034
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：封松林
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1993
结题年份：1996
起止时间：1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：封松林,周洁,韩志勇,李树英
关键词：
深能级DX中心亚稳态
结项摘要
本项目主要研究在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中占重要地位的点缺陷DX中心的微观结构及载流子俘获机理，成功地发展了研究点缺陷载流子俘获机理的瞬态光霍尔和瞬态光电阻率方法。首次直接测量了L带载流子的俘获势垒，进而确定DX中心的俘获过程是Γ带电子必须首先跳到L带才能被DX中心俘获，支持DX中心是L带有效质量的模型。不支持目前国际上流行的负U模型。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
主控因素对异型头弹丸半侵彻金属靶深度的影响特性研究
主控因素对异型头弹丸半侵彻金属靶深度的影响特性研究
DOI：10.13465/j.cnki.jvs.2020.09.026
发表时间：2020
2
一种加权距离连续K中心选址问题求解方法
一种加权距离连续K中心选址问题求解方法
DOI：
发表时间：2020
3
固溶时效深冷复合处理对ZCuAl_(10)Fe_3Mn_2合金微观组织和热疲劳性能的影响
固溶时效深冷复合处理对ZCuAl_(10)Fe_3Mn_2合金微观组织和热疲劳性能的影响
DOI：10.11868/j.issn.1001-4381.2018.001042
发表时间：2019
4
~(142~146,148,150)Nd光核反应理论计算
~(142~146,148,150)Nd光核反应理论计算
DOI：10.7538/yzk.2022.youxian.0213
发表时间：2022
5
兰州大学电镜中心-大型仪器共享平台的建设及核心竞争力
兰州大学电镜中心-大型仪器共享平台的建设及核心竞争力
DOI：10.3969/j.issn.1000-6281.2021.03.017
发表时间：2021
封松林的其他基金
批准号：69876036
批准年份：1998
资助金额：14.90
项目类别：面上项目
批准号：69776016
批准年份：1997
资助金额：13.00
项目类别：面上项目
批准号：19823001
批准年份：1998
资助金额：70.00
项目类别：专项基金项目
批准号：69576032
批准年份：1995
资助金额：9.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
半导体中DX中心的研究
批准号：69576022
批准年份：1995
负责人：黄启圣
学科分类：F0405
资助金额：8.50
项目类别：面上项目
2
粒子辐射GaAs太阳电池引起性能衰降的少数载流子俘获中心的检测鉴别
批准号：11675020
批准年份：2016
负责人：王荣
学科分类：A3001
资助金额：64.00
项目类别：面上项目
3
Ⅱ-Ⅵ半导体类DX(AX)、IE中心行为及优化应用研究
批准号：60076008
批准年份：2000
负责人：卢励吾
学科分类：F0405
资助金额：17.00
项目类别：面上项目
4
长波段长余辉发光材料中载流子再俘获过程的研究及应用
批准号：11664022
批准年份：2016
负责人：徐旭辉
学科分类：A2207
资助金额：40.00
项目类别：地区科学基金项目