应力缓冲衬底上异质半导体薄层转移技术研究

本研究以单晶硅注氧形成超薄硅/二氧化硅/硅结构的应力缓冲衬底。采用注氢的“灵巧切割”和键合技术，实现晶格失配的异质碳化硅或磷化铟薄层向硅应力缓冲衬底转移。研究将涉及在相关半导体材料中注氧产生微空洞的机制、低温断裂途径、超薄硅层和低温二氧化硅层在应力缓冲的作用等。该技术对发展新型异质结构半导体材料具有重大推动作用。