等离子体环境与GaN晶膜生长速度的关系

在电子回旋共振等离子体反应器上，用紫外—可见单光色仪和朗谬探针结合的方法，研究了氮等离子体中电子密度，电子温度及各种组份的发射光谱强度与气压，微波功率和磁场强度的关系，并采用金属有机源和氮等离子体结合的方式，生长出氮化镓晶膜。通过研究氮化镓晶膜生长速度与等离子体中各种参数的关系，发现了电子温度和晶膜生长速度的相关性。并从理论上给出了这种相关性的定性解释。这一结果对于等离子辅助晶膜沉积过程的优化，提出了新的技术路线，并给出了一种新的等离设备的监测和控制手段。该结果对于进一步了解在等离子体环境中的成膜基理也有一定的帮助。