GaN薄膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长及特性研究

本基金创造性的提出并采用了新颖的ECR-PAMOCVD可控活化低温外延技术，在不同衬底上低温生长出了六方和立方GaN薄膜；为了改善晶质和相纯度，在先进的腔耦合型ECR等离子体源基础上获得了高活化氮源；摸索出一套科学的生长工艺流程；多种测试结果表明，我们已在大失配度的国产（001）GaAs衬底上低温外延出晶质较好，相纯度较高的立方GaN单晶膜，并研究了其光学和电学特性，实现了带边发光。这表明独特的等离子体处理工艺是成功的，为GaN系蓝光材料生长开辟了新途径。正在研制的ESPD-U装置兼有MOCVD和MBE生长装置的先进功能，更适合于多种低维材料的外延生长。我们独创性的工作得到了国内外同行专家的认可，已被纳入国家863计划和211工程重点建设学科。