一种等离子体刻蚀工艺中的终点检测的新概念和技术

基本信息
批准号:10075030
项目类别:面上项目
资助金额:24.00
负责人:蒲以康
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2000
结题年份:2003
起止时间:2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张大成,罗葵,焦文淘,杨冰,马杰,周苗苗
关键词:
激光诱发荧光终点检测等离子体刻蚀
结项摘要

等离子刻蚀被广泛应用在半导体器件的生产工艺中,而刻蚀工艺过程中的终点检测被认为是一项关键技术,本项目提出了一种新的用半导体激光二极管的激光诱发荧光技术,用来检测等离子体中相关粒子的浓度变化,而达到终点检测的目的。该技术将有灵敏度高、可靠性好、成本低等优点,将对我国半导体工业中刻蚀工艺的可靠性的提高起到重大作用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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