低温等离子体辅助制备纳电子器件单元机理的研究

基本信息
批准号:10335040
项目类别:重点项目
资助金额:200.00
负责人:蒲以康
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2003
结题年份:2007
起止时间:2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李星国,应纯同,张小章,高苏,郭志刚,张士成,邵怀宇,周鑫,何威
关键词:
纳电子器件单元等离子体鞘层诊断化学气相沉积活性粒子
结项摘要

纳电子器件的合成是下一代纳米级线宽集成电路制造和量子效应器件的技术基础,它的成功能极大地促进科学技术水平的提高。纳电子器件单元是由导体、半导体、绝缘体的纳米点、线、膜在纳米尺度下组装而成的。不同形态和性质的纳电子材料的制备和有效的尺寸控制是纳电子器件单元合成的前提。本项目通过自行开发具有自己特色和良好空间分辨能力的等离子体中各类活性粒子诊断工具,研究基片附近等离子体鞘层中中性和带电活性粒子对所沉积的纳电子材料的形态和性质的作用机理,以及等离子体参数和基片条件对活性粒子浓度和分布产生的影响,从而获得等离子体辅助合成纳电子材料的物理机制和控制合成的有效途径,为以材料和结构为基础的纳电子器件合成的研究奠定基础。该学科交叉课题的顺利完成,也将对等离子体物理和纳米材料合成领域的理论研究和应用起一定的推动作用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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