复合纳米多孔材料上的厚膜GaN外延生长研究

纳米多孔材料在半导体大失配异质外延生长中具有广泛的应用，它可以有效地降低因外延层与衬底材料之间的晶格失配和热失配引起的应力，同时又有利于提高外延材料的结晶质量，因此是一种良好的衬底材料。本项目计划在原来开展的以纳米多孔GaN为衬底的厚膜GaN生长研究基础上，采用基于Si和GaN的复合纳米多孔材料为衬底，开展厚膜GaN材料的HVPE方法生长。研究不同复合纳米多孔衬底的制备方法和参数对于HVPE生长的影响，并借助于材料微结构的表征揭示以复合多孔材料为衬底的厚膜GaN生长过程及其改进外延材料质量的机理；通过对生长后的Si衬底进行剥离，获得具有自主知识产权的自支撑高质量厚膜GaN材料。