应用X射线双晶衍射技术、镜面反射、漫反射和倒易空间横扫描等技术,在原子水平深入研究GeSi/Si,化合物半导体多层膜和超晶格的界面结构,应力分布,失配位错和界面粗糙度等参数及其对材料性能的影响。(1)改进和发展了双晶衍射摇摆曲线计算机模拟程序,使之成为运用范围广,功能比较全的程序;(2)测定了多种不同工艺生长的多层膜,超晶格材料的结构参数,点陈失配和位错网络等,为优化制备工艺提供科学依据;(3)推导低维材料X射线反射强度表达式,编制计算机程序和数据库;(4)研究了不同层厚,不同基片偏角的GeSi/Si超晶格的界面粗糙度;(5)研究了在Si.Ge,和GaAs衬底上生长的成分梯度SiGe外延膜和生长在低温Si缓冲层SiGe异质结构的界面应变,失配位错密度。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
一种基于多层设计空间缩减策略的近似高维优化方法
猪链球菌生物被膜形成的耐药机制
含饱和非线性的主动悬架系统自适应控制
Modelling of phase transformations induced by thermo-mechanical loads considering stress-strain effects in hard milling of AISI H13 steel
覆膜开孔条件下新疆地区潜水蒸发及水热关系研究
半导体多层膜中微缺陷的X射线衍射统计动力学研究
半导体界面的掠入射X射线衍射研究
周期性多层膜光栅的软X射线衍射物理的研究
基于锥形衍射的高通量过渡X射线多层膜光栅光谱仪