化合物半导体多层晶体薄膜结构完整性的研究

建立了金/半薄膜分形晶化的透射电镜原位定量观测和运动学分析的方法，深入探讨了分形晶化的生长机制。根据原位定量观测实验结果，对国际上现有的两种不同理论模型进行了分析，提出了两中分形生长机制在不同阶段先后起主导作用的观点。对Au/Ge和Al/Ge体系分形晶化后薄膜的电输运特性进行了测量，发现V-I特性具有反常非线性特征，发现电阻率随分维值减小而单调下降，发现分维数与热电势也有密切联系，运用隧道结网络模型对前两种特性结予了合理解释。对影响薄膜分形晶化的各种控制因素，如膜厚比（成分配比）、退火温度和时间、蒸镀次序、衬底条件、缺陷结构等，作了细致的探索，这有助于根据特定需要，制备出合适的薄膜分形试样和材料来。