半导体多层膜中微缺陷的X射线衍射统计动力学研究

基本信息
批准号:59302019
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:7.00
负责人:李超荣
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李超荣,李明,顾有松,李建华,王建波,王超英
关键词:
多层膜X射线衍射晶体缺陷
结项摘要

利用X射线双晶和三轴晶等分辨衍射,掠入射镜面反射及漫散射等研究方法,研究了CdMnTe/CdTe多层膜在InSb衬底上的结构,包括表面和界面结构,研究了生长工艺与在GaSb衬底上生长ZnFe多延膜的界面相结构特征间的关系。得出在一定的工艺条件下,在II-IV/II-V界面易形成III2VI3型化合物,界面相的形成及其厚度对外延膜的弛豫及表面粗糙度等有影响,研究了不同工艺过程处理的InP表面结构。研究了InSb单晶中的微缺陷,微缺陷的尺度和密度分别约为0.3um和5×10(6)cm(3)。研究了InGaAs外延膜中的微缺陷,得出评价膜完整性的参数。用原位同步辐射白光形貌,研究了C60单晶的相变,生长机理,荧光特性等。建立了国内首台X射线三轴晶衍射仪,并用其对Ges:多层膜进行了研究。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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