半导体界面的掠入射X射线衍射研究

掠入射X射线衍射是国际上近年发展的一种非常有效的分析表面、界面结构的新方法。本项目研究中已建立了X射线掠入射衍射、反射率和漫散射理论和实验方法以及计算程序，对多种重要的半导体量子阱、超晶格的界面结构进行了研究。首次确定了铟镓砷/镓砷超晶格中正交条纹为界面失配位错；首次给出了掺杂的磷化铟晶片的表面粗糙度和相关长度；首次详细报导了硅/硅应变超晶格中界面粗糙度、标度指数与分子束外延各种生长条件的关系；提出了一种界面水平X光散射新方法；对砷化镓/磷化镓等超薄膜界面水平应变进行了直接测定。上述结果为薄膜的表面界面结构研究提供了有效的工具，从而为薄膜生长、器件及其性能的研究，提供了重要的科学依据。