半导体高指数表面和界面性质的研究
基本信息
批准号：68976023
项目类别：面上项目
资助金额：3.50
负责人：邢益荣
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1989
结题年份：1992
起止时间：1990-01-01 - 1992-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：钟战天,王昌衡,牟善明,范越,吴汲安
关键词：
异质结外延高密勒指数晶面半导体
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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