硅高指数晶面原子台阶结构的STM考察及其应用研究

利用SPA-LEED和气体吸附等实验方法研究了硅[T10]晶带中高指数晶面的表面原子结构。在采用球面状样品寻找稳定晶面的基础上，重点探讨了三个晶面。其结果是：一、硅（113）是最稳定的高指数面，可作为异质外延衬底。同物理所合作提出了一个新的表面原子再构模型；二、硅（5，5，12）是仅次于（113）的稳定的高指数面，其表面无胞为0.38nm×5.35nm ，可能是至今所发现的原子元胞了大的半导体表面。提出了表面原子再构模型；三、硅（112）晶面本身不稳定，但它形成了稳定的由（111）和（337）小平面构成的原子台阶，其高度和宽度分别为0.7或13nm，且排列序，可望作为制备量子线结构材料的衬底。