半导体高指数晶面用于外延生长和器件制作的研究

研究了砷化镓高指数晶面的外延生长及其应用于制作器件的可能性，还研究了硅的高指数晶面特性。对砷化镓（113）A衬底，其外延层掺硅得到n型材料，且电子迁移率比（100）衬底的高，这有利于制作HEMT器件。在（113）B衬底上生长的GaAlAs/GaAs单量子阱结构，与（100）衬底相比，具有增强的光跃迁几率，它被归因于阱中较大的重空穴有效质量。在GaAs（113）A和（115）A衬底上生长零维InAs/GaAs异质结构材料，InAs的发光峰的半高宽比（100）衬底的小，表明GaAs高指数面在生长低维结构材料方面具有优越性。对硅{hhK}（h<k）型高指数面的原子结构进行研究，发现了新的稳定的晶面。