高电阻CdZnTe半导体的表面及其与金属接触界面的研究

本项目拟以高电阻碲锌镉（CZT）室温辐射探测器件的制备为背景，重点研究高电阻半导体表面热力学、表面原子结构和电子结构，以及与金属接触界面的结构与性能。同时，进行接触电极制备技术及器件制备相关的技术基础和原理研究。研究内容包括：(1)高电阻CZT表面机械处理、热处理和化学处理对其表面热力学性质、表面原子与电子结构及及其功函数等电学性能的影响规律；(2)高电阻CZT与金属接触界面区域的相组成、组织结构演化、扩散行为及界面稳定性，揭示金属电极材料及其制备技术对高电阻CZT与金属接触界面特性的影响规律与机制。(3)探索高电阻CZT欧姆接触电极的电学性质及其欧姆特性的控制技术。(4)探讨高电阻CZT半导体表面态及其与金属界面特性对后续CZT半导体器件制备工艺与器件性能的影响规律，探索高电阻CZT单元器件输出性能的控制方法。