SI和GAAS高指数晶面的原子和电子结构研究
基本信息
批准号：18670811
项目类别：面上项目
资助金额：2.00
负责人：邢益荣
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1986
结题年份：1989
起止时间：1987-01-01 - 1989-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：
关键词：
***
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数据更新时间：2023-05-31
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