内嵌量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性
基本信息
批准号：60606024
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：28.00
负责人：王晓东
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈燕凌,李艳,张杨,吴孟,杨香,王海莉,姜磊
关键词：
QDMODFET近红外单光子探测光电响应特性
结项摘要
内嵌量子点的调制掺杂场效应晶体管（QD-MODFET）是具有独特光电性质与输运特性的新型量子功能器件。本项目拟开展对内嵌In(Ga)As量子点的QD-MODFET器件光电特性的研究，并能开发出具有较高量子效率的可用于近红外单光子探测的器件。研究内容主要包括：QD-MODFET的制备，器件的光电响应特性，量子点与调制掺杂结构的光电相互作用机理，近红外单光子探测QD-MODFET的研制，QD-MODFET光电响应量子效率的提高等。.内嵌量子点的调制掺杂结构(QD-MOD)，无论从物理还是器件应用角度都具有重要的研究价值。以往的研究大多集中于该结构的输运特性，对其光电特性的研究及应用并不多见。特别是开发可用于近红外单光子探测的QD-MODFET器件，对量子通讯领域也具有重要意义。本项目的研究将开辟对QD-MODFET光电特性研究与器件开发应用的新领域。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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