Ti3SiC2-Cu 新型真空触头材料电接触特性及失效机理研究

基本信息
批准号:50672005
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:周洋
学科分类:
依托单位:北京交通大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张华,艾明星,高立强,周炜,张晨,贾晓伟
关键词:
电接触性能失效机理Ti3SiC2Cu触头材料
结项摘要

触头是电力系统的重要组成部分,其严酷的工作条件对材料性能提出了苛刻要求。以WC为高熔点组元的WC-Ag、WC-Cu是目前最主要的真空接触器触头材料,前者性能较好但价格昂贵,后者因价格便宜而应用广泛,但性能明显逊于前者。Ti3SiC2是一种兼具陶瓷与金属性质的新型材料,与WC相比,其电阻率、密度更低,熔点、热导率和比热更高,模量与热胀系数更接近于金属,且具有良好的抗氧化性和自润滑性,因此用Ti3SiC2代替WC与铜复合制成新型触头材料,将可能在减轻重量、降低成本的同时,多方面改善现有触头材料的性能,并可节省战略资源钨。本项目拟在Ti3SiC2-Cu复合材料制备工艺研究的基础上,着重探讨这一新型材料的电接触特性及其影响因素,通过材料表面在电弧作用下的蒸发、离化、喷溅等现象和过程的研究,揭示材料在电接触条件下的服役特性、表面劣化规律、失效形式与失效机理,为这一新型材料在触头领域的应用奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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