低温等离子体输运过程及其气相沉积的机理研究

基本信息
批准号:19275016
项目类别:面上项目
资助金额:4.00
负责人:刘祖黎
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:魏合林,刘东辉,方忠,罗玉萍,安忠
关键词:
***
结项摘要

本项目用蒙特卡洛等方法主要研究了在电磁场中等离子体鞘层的输运行为包括带电粒子的能量分布,密度分布 ,速率分布等及输运系数值电离系数,扩散系数,激发率,迁移率等。主要发现在放电等离子体中明显存在高能,中能和低能电子流,控制这些电子流的大小与分布可以提高电离率。在阴极鞘层区电离率分布与电子平均能量分布的峰值不同,与传统汤逊理论有所不同。在考虑了边界影响,磁场中的电子非弹性碰撞随磁场增加,与实验符合。对等离子体化学气相沉积提出了二元动力学理论,研究了等离子体输运过程对薄膜沉积率,质量转换率等影响。用PCVD方法制备了薄膜并用各种探针诊断等离子体参量,研究了了等离子体参量对薄膜的影响。实验与理论符合很好。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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