利用电晕放电控制化学气相沉积输运过程的探索

化学气相沉积（包括CVD和MOCVD）生长单晶和多晶薄膜，是制备微电子和光电器件的一项关键工艺。控制CVD反应器中气体的输运过程，获得基片上方均匀的流场和温场分布,对于薄膜的生长质量和生长速率至关重要，也是现代CVD反应器设计的最基本的要求。本项目提出一种全新的控制CVD反应器内气体输运过程的方案，即在CVD反应器中加入电晕放电装置，利用电晕等离子体使气体荷电，再利用外加电场来影响带电气体的流动，使基片上方保持均匀的层流流动和均匀的基片温度，从而获得一种比目前的机械旋转和分层流更好的控制气体输运的方法,得到更好的薄膜生长质量和更快的薄膜生长速率。该项研究有望导致一种更优的CVD反应器的问世。