低温等离子体中离子输运特性对薄膜生长的影响

基本信息
批准号:19775016
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:刘祖黎
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:魏合林,孙国才,孔德明,黄全亮
关键词:
薄膜生长离子输运特性低温等离子体
结项摘要

设计了离子收集系统,成功测量了在磁镜场中等离子体能量分布、等离子体温度等微观输运特性参数。利用蒙特卡罗方法计算了外磁场对等离子全输运过程的影响,结果表明利用外磁场可大大增加电子和离子的密度等。详细考虑了基底表面吸附粒子与最近邻和次近邻粒子间的相互作用,首次研究了等离子体近表面离子能量对薄膜生长初期形貌的影响,结果表明低能离子照射增加了吸附粒子表面扩散能力,改善了薄膜生长过程;随离子能量升高,薄膜形貌经历了从分形、分枝到紧密生长过程,这与实验结果吻合。由于高能离子溅射作用,薄膜表面成核点增加,促进了表面吸附粒了的凝聚,加快了薄膜生长。课题研究中曾应邀到国际会仪上做学术报告。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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