抗辐照型InGaAs/GaAs量子点红外探测器的研制
基本信息
批准号：60806048
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：21.00
负责人：杨晓杰
学科分类：
依托单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：边历峰,刘惠春,黄宏娟,查强,李晓伟,黄寓洋,金朝
关键词：
抗辐照红外探测器InGaAs/GaAs量子点
结项摘要
本项目结合量子点红外探测器的正入射吸收、光电导增益大和工作温度高等优越性，通过优化器件结构来过滤高能粒子辐照导致的带间跃迁型光生载流子，增强其抗辐照性能。.本项目研究内容之一是通过改善InGaAs/GaAs量子点的生长技术增强其三维量子限制效应，并利用InAlAs量子点层作为种子层来增加InGaAs/GaAs量子点的体密度和均匀性，从而提高InGaAs/GaAs量子点红外探测器的量子效率；研究内容之二是利用P型AlGaAs作为空穴载流子收集极，设计并制作出P-N-N结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。系统地分析该量子点红外探测器在高能粒子辐照下产生的电子和空穴的输运特征、关联关系和分离机制，尝试分别输出电子电流和空穴电流，消除这些电子和空穴带来的噪声信号，实现抗辐照型InGaAs/GaAs量子点红外探测器。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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