应变自组装InAs/GaAs量子点材料生长及器件探索

本工作通过对应变异质结材料生长动力学和自组装生长量子点成核、长大机理的深入研究以及对MBE材料生长工艺的探索、优化，实现高质量的自组装InAs/GaAs量子点材料的稳定生长。不仅可以观察到量子尺寸效应，而且还具有量子点大小比较均匀、密度可控、光学特性良好等优点。完成了在各种晶向衬底上生长、单原子层级厚度和界面平整度材料生长的研究还进行垂直耦合多层InAs/GaAs量子点材料生长和InAs/InP等系列量子点材料的生长研究。成功研制出量子点激光器材料并制备成器件，实现室温连续激射，阈值电流密度低于590A/cm（2），达到国际先进水平。在国际、国内学术期刊和学术会议上发表（接受发表）论文19篇。超额完成项目计划各项目标。