双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
基本信息
批准号：60876027
项目类别：面上项目
资助金额：39.00
负责人：何进
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张兴,何燕冬,张立宁,刘峰,陶亚东,韩临
关键词：
器件物理电路CAD双栅纳米FinFET模拟和模型电路设计技术
结项摘要
2006年ITRS预计:2016年左右以双栅纳米FinFET为代表的非传统CMOS可能代替体硅结构用于亚22nm节点后的集成电路技术代. 如此的技术进步对纳米FinFET的研究提出了巨大挑战: 一是目前还无完整清晰的纳米FinFET器件物理理论； 二是诸多独特物理效应复杂化了电路模拟SPICE模型的建立;三是并不清楚已有的电路设计技术和方法是否适用纳米FinFET的CMOS电路. 基于此, 我们提出"双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究"项目,争取2-3年内在纳米FinFET的器件物理， 模拟模型和相应的电路设计技术上有突破性进展: 建立国际创新性的双栅纳米FinFET载流子器件物理理论；实现FinFET新效应在该理论框架内自洽集成的电路SPICE模型;发展FinFET电路结构的设计验证平台； 研究以FinFET为基本结构单元的新电路拓扑和电路设计新技术。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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