7稀土金属离子注入氮化镓制备发白光芯片
基本信息
批准号：10345006
项目类别：专项基金项目
资助金额：10.00
负责人：刘昌
学科分类：
依托单位：武汉大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：赵文宽,叶明生,付强,路险峰
关键词：
白光芯片GaN稀土金属:离子注入
结项摘要
GaN对稀土元素的光发射无吸收、热猝灭程度低，非常适合于稀土金属掺杂。跟有机光发射二极管和传统的异质结二极管相比，掺稀土元素的GaN电致发光管光发射谱线窄，器件结构简单。目前已实现了掺稀土元素Eu发红光，掺Er发绿光，掺Tm发蓝光，而且三基色光都可在室温下获得，发光强度高，肉眼清晰可见。在CIE色度图上，GaN:Eu(红光) GaN:Er(绿光) GaN:Tm(兰光)的x、y坐标非常接近NTSC电
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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