高介电系数硅基钛酸锶钡铁电多层膜的研究

基本信息
批准号:10204016
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:29.50
负责人:沈明荣
学科分类:
依托单位:苏州大学
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:葛水兵,甘肇强,吴银忠,方亮,董正高
关键词:
铁电多层膜高介电系数
结项摘要

利用脉冲激光沉积技术制备硅基钛酸锶钡多层膜。采用多层膜结构和方法提高钛酸锶钡薄膜的介电系数。从钛酸锶钡多层膜的微几何结构、界面特性和单层尺寸效应等方面研究其介电系数增强效应出现的条件和机理,发展理论模型,并探索在硅基片上获得高介电系数和低损耗钛酸锶钡薄膜的有效途径。这是薄膜物理中有重要学术价值和应用前景的课题。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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