硅基C轴高择优取向铌酸锶钡铁电薄膜的生长和光电性能的研究
基本信息
批准号：60478039
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：叶辉
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郭冰,郑臻荣,沈伟东,沈智如,邹桐
关键词：
择优取向生长电光效应铌酸锶钡铁电薄膜
结项摘要
铌酸锶钡是一种性能优异的铁电材料，具有较大的电光系数，热释电系数等，但由于铌酸锶钡薄膜和硅衬底有很大的晶格失配率，很难获得硅基高择优取向生长的铌酸锶钡薄膜。本项目提出两种方法改进SBN薄膜的生长特性，分别为含钾离子的SBN薄膜缓冲层调整薄膜和衬底的界面性能以及引入氧化镁缓冲层结构，使用溶胶凝胶法和射频磁控溅射法研究半导体硅单晶衬底上生长高择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜的技术，研究缓冲层的成分，结构和厚
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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