n-型立方氮化硼(c-BN)薄膜和p-型金刚石薄膜异质p-n结的研制,是这两种宽带侗∧げ牧显诎氲继搴凸獾缱恿煊蛑杏τ玫淖罟丶方凇V灰饩隽苏飧鑫侍猓堑挠τ醚芯坎拍苁迪滞黄啤?.本项目采用MW-ECR-CVD、HF-CVD和溅射等方法制备高质量n-蚦-BN/p-型金刚石全薄膜结构的p-n结,并研究这种结构的电学性能、光发射及p-n结物理特性。
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数据更新时间:2023-05-31
Inclusive production of fully-charmed 1+- tetraquark at B factory
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黑色素瘤缺乏因子2基因rs2276405和rs2793845单核苷酸多态性与1型糖尿病的关联研究
Low-Order Webpage Layout in Online Shopping Facilitates Purchase Decisions: Evidence from Event-Related Potentials
Design, synthesis and antimycobacterial activity of new benzothiazinones inspired by rifampicin/rifapentine
立方氮化硼薄膜的p型掺杂和薄膜p-n结的研制
单晶金刚石薄膜/立方氮化硼半导体异质结的制备与研究
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