金刚石薄膜场致发光器件的研制

本项目以金刚石薄膜为对象，研究其发光特性与实验合成条件的关系，制备金刚石薄膜场致发光器件。研究结果表明：金刚石薄膜的发光特性主要受制于合成气氛中的杂质成份，其发光强度取决于薄膜中的杂质含量；高浓度硼掺杂的金刚石薄膜的发光强茺要明显高于未掺杂的金刚石薄膜。发光器件采用了双绝缘层式结构。绝缘层采用的是类金刚石薄膜，其优点是绝缘强度好、金刚石的成核密度高。上下电极分别采用了单晶硅和掺锡的氧化铟透明导电薄膜。由于采用类金刚石薄膜作下电极，既提高了发光片的表面光洁度、简化了器件制备工艺，也解决了金刚石在光滑氮晶硅表面的高密度成核问题。器件的光谱中心位于5100埃，对应蓝绿光发射，寿命大于八小时。