金刚石薄膜掺杂特性的研究
基本信息
结项摘要
用热丝CVD法实现了金刚石膜的P-型硼掺杂，使电阻率改变了十九个数量级，最小电阻可达0.01Sc-Crn以下，掺杂浓度>10（20）cm(3)，已达到目前国际先进水平。应用Raman,X-光衍射，ESR，IR，霍尔效应，核反应技术，SIMS等研究硼掺杂的基本特性。用热丝CVD法和离子注入法在国内首次实现了金刚石膜的n-型砱掺杂，合电阻率下降2-3个数量级。但由于砱原子比碳原子大1.43倍，砱原子在膜中处于晶粒间隙之中，虽掺入了大量的砱原子但对电导贡献不大，未能达到有效掺杂作用，这是当前国际难题；我们已提出一些新的掺n-型杂质方法。在国内首次用微波法获得全刚石膜的结构生长，把金刚石膜在电子学方面的应用向前推时了一步。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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