立方氮化硼薄膜的织构生长和掺杂特性研究
基本信息
批准号：19874007
项目类别：面上项目
资助金额：15.00
负责人：陈光华
学科分类：
依托单位：北京工业大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王波,马锡英,宋雪梅,张兴旺,杨宁,崔贲涛,谭利文
关键词：
立方氮化硼薄膜织构生长掺杂特性
结项摘要
立方氮化硼（c-BN）薄膜是一种新型超硬宽带隙功能材料，其性能类似于金刚石膜，有着许多优异的物理化学性能，有可能实现n型和p型掺杂，成为宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率等方面有广泛的应用前景。目前应用的关键是必须获得它的织构生长和掺杂技术。本项目就是应用MW-ECR-CVD等方法制备出高质量的c-BN膜，实现可控n型和p型掺杂。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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