无应变InAlGaN/GaNPIN紫外光探测器研究

本项目利用MOCVD生长GaN技术研制InAlGaN/GaN PIN结构紫外光电探测器，提出采用三步生长法来获得高质量的GaN材料，在此基础上，用低温法实现在AlGaN中掺In、降低生长压力获得高Al组份，从而实现无应变的InAlGaN/GaN PIN的器件结构，增加有源区的宽度，减小器件的暗电流、结电容、提高器件的性能和可靠性，使器件达到目前国际上的最好水平。