第三代半导体材料SiC纳米结构物性的多尺度计算模拟

宽禁带半导体材料是当前科学研究的热点之一，本项目拟采用多尺度理论，在原子尺度上研究以宽带隙SiC为代表的第三代半导体材料纳米结构的热学、力学及光电等基本物理性质。首次在原子尺度上研究SiC纳米结构变形破坏过程以及尺寸、表面、加载速率等对材料本身力学性能和力学行为的影响，通过归纳总结其中蕴含的力学规律，将对纳米力学理论研究起到积极的促进作用。首次在原子尺度上研究SiC纳米结构的纳米尺度下的热传导特征。运用头算计算方法，从头算分子动力学方法研究尺寸、表面、应变及应力对SiC纳米结构电子能级的变化，揭示纳米材料电子结构的特征。模拟结果将用来解释实验现象，指导进一步实验。并为最终实现纳米材料及纳米器件的设计提供理论依据。