第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
基本信息
批准号：50132040
项目类别：重点项目
资助金额：160.00
负责人：陈小龙
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李晓光,吴星,王玉霞,杨碚芳,俞育德,肖兵,庄击勇
关键词：
碳化硅晶体生长薄膜生长
结项摘要
研究物理气相传输过程中生长条件对SiC晶体生长速度和晶体形态的影响，各种缺陷的形成坪拖ν揪叮こ龃蟪叽绺咧柿康ゾАＱ芯刻蓟枰熘屎屯释庋颖∧さ纳と攘ρШ投ρ侍?优化生长工艺;探讨生长过程中缺陷的形成机制、减少缺陷的途径及掺杂控制恢荚诨竦酶呶麓蠊β势骷玫母咂分侍蓟柰庋颖∧げ⒅票赋瞿透呶绿蓟柙托图
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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