硅量子线,点MOS结构存储器研究

本项研究采用低压CVD自组织生长技术与选择化学腐蚀方法制备出硅，锗及锗/硅复合量子点结构，研究了量子点的自组织特征与热处理的规律；从实验和理论上系统研究了硅量子点存储器MOS结构中电荷注入与存储的物理机制，发展了量子点界面缺陷态对存储电荷的作用模型；提出了解决量子点中电荷存储时间与工作电压之间矛盾的方法，发展了复合不对称势垒的新结构；在SOI衬底上成功研制了具有纳米结构的MOSFET器件及硅量子点存储器。本项研究成果已达到国际先进水平，部分处于国际领先水平。该研究成果对推动量子功能器件的实用化，发展非挥发存储器将起重要作用，同时亦将促进我国量子功能器件理论研究的进一步发展。