ZnO高效p型掺杂、机理及pn结紫外探测器的研究

ZnO基pn结紫外探测器由于体积小、低工作电压、高响应速度并易于集成而在国防、航天、科研、环保、防火和许多工业控制领域中具有许多重要的应用前景，实现高性能ZnO基pn结同质结光电紫外探测器件的关键是如何制备出稳定可靠的高掺杂浓度p型ZnO薄膜。本项申请将在我们已有的ZnO基结构材料、p型掺杂和ZnO基pn结LED发光器件的初步研究工作与积累的基础上，采用MOCVD技术与气体离化技术，应用N2O为p型掺杂源, 生长出高浓度掺N的ZnO薄膜，研究探索p型掺杂剂的高温激活技术，掌握高质量p型ZnO薄膜材料的制备技术与方法；采用变温Hall测量技术与相关分析技术研究其掺杂机理和高温激活机理；掌握p型ZnO的欧姆接触技术，实现具有整流特性的ZnO同质pn结，并进而研制出高性能的ZnO基同质pn结紫外光电探测器件。