激光超声研究II

本项目是利用扫描隧道显微镜（STM）从事物质表面结构的研究，特别是对半导体表面。研究内容主要包括在原有超高真空系统上建立STM装置，并利用超高真空和大气环境下工作的STM对半导体表面结构进行研究。到目前为止，已在大气环境中对硅分子束外延生长的GeSi超晶格材料等样品表面进行了形貌观测，研究了表面氧化对STM隧道成像过程的影响，探讨了在大气中获得半导体表面结构真实信息的可能性。应用STM还研究了Si衬底上三元固相反应生成的CoSi2薄膜的表面结构，开展了与纳米结构相应的隧道效应等方面的初步性工作。其中的一些研究成果已经以论文的形式发展。由于经费等原因，UHVSTM暂缓建立。但大气中半导体表面结构的STM研究还将继续进行。