本课题用自己研制了UHV-STM-LEED-AES系统研究了许多重要的前沿问题。在金属/半导体界面方面系统在研究了各种金属和四族半导体形成的界面,提出了三族金属和四族半导体间界面的统一机理。此种机理很可能也适用于其它金属和四族半导体间的界面。在介观物理方面,研究了金属点接触的弹道输运特性,第一次从实验上证实这种输运的电导不仅是量子化的,而且这种量子化还可在室温下被观察到。在纳米科技方面,本研究揭示了Ge(001)2×1表面上最普通的一各缺陷的原子结构,还揭示了在Ge(111)表面上的增原子在室温下的扩散并测出了相应的激活能。在应用研究方面也作了许多尝试,获得了许多新结果。
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数据更新时间:2023-05-31
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