窄禁带半导体中浅杂质态及其在载流子输运过程中的作用

首次提出平带磁电容方法研究了窄禁带半导体（MIS结构）的磁输运特性及浅杂质行为。发现浅杂质能级位置随磁场变化的移动。并证实了窄禁带半导体中浅杂质态能够与导带底分离。观察到窄禁带半导体中共振缺陷态。采用变磁场霍尔效应测量方法研究了窄禁带半导体的输运行为，创造性地把迭代算法和迁移率谱结合起来，建立了定量迁移率谱方法，获得了窄禁带半导体多载流子复合体系中各种载流子包括体电子、表面电子、轻、重空穴的迁移率和浓度。获得它们分别对电导的贡献。