HgCdTe的材料芯片方法研究
基本信息
批准号：60244002
项目类别：专项基金项目
资助金额：13.00
负责人：李志锋
学科分类：
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王基庆,陈贵宾,蔡炜颖,江俊
关键词：
材料芯片HgCdTepn结
结项摘要
针对碲镉汞材料工艺中遇到的基本物理特性体现的统计性特点，引入材料芯片研究方法对碲镉汞p-n结特性和形成工艺进行研究。应用材料芯片技术高效率、高可比性信息快速获取的优点、寻找出关于优质p-n结构的形成起着真正制约作用的物理起源。在统计性研究基础上，澄清p-n结形成中物理模型方面的争议，获得优化p-n结特性的具体可行方向。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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