HgCdTe材料中杂质和缺陷对其结构和光电子性质的影响
基本信息
批准号：60476040
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：陈效双
学科分类：
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐靖,孙沿林,孙立忠,周孝好,全知觉,王金斌,吴砚瑞,曾勇
关键词：
电子和光学性质杂质和空位p型掺杂碲镉汞As自补偿
结项摘要
碲镉汞材料主要是通过掺杂来实现材料的应用，如何有效实现p型掺杂存在着大量的关键问题，利用第一性原理的全电子势线性缀加平面波法（FP－LAPW）和赝势平面波法（VASP）开展窄禁带碲镉汞材料的第一性原理模拟，预测As的引入和Hg的替位等缺陷导致的基体晶体结构的畸变，化学键的变化和电荷的转移等对材料光、电子性质的影响。提供As既作为施主又作为受主的两性行为本质，获得As作为p型掺杂取代Te的优化条件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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