离子注入GaAs基自旋源的材料芯片方法研究

本项目研究目的在于针对GaAs基自旋源制备工艺中遇到的基本物理问题，根据这些问题明显的关联和统计性特点，引入材料芯片这一近年发展起来的新的研究方法作为优化材料制备工艺的创新性工作。项目研究将着重探索不同合成工艺条件下自旋源的光学和磁学性质并对这种具有大量组元的材料芯片进行高效率的、并行的性能测试，寻找出对离子注入制备自旋源工艺起着真正制约作用的物理机理，并基于这一深层次物理问题的发现，获得优化材料特性的具体可行方向，最优化GaAs基自旋源的制备工艺并形成1-2个与制备技术密切关联的精确与系统的数据库，有效地推动我国在GaAs基自旋源制备平台上的快速发展。